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MOS场效应管(单) Ruichips RU60E6H

场效应管(单) SOP-8 N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=6A(Tc) P=2.5W(Tc)

品牌:Ruichips

历史库存:2500

历史单价:0.67500(最新价格请咨询

STC6614

品牌:HQ

历史库存:24

历史单价:0.74721(最新价格请咨询

MOS场效应管(阵列) WINSOK WST8205

2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=5.8A 2通路

品牌:WINSOK

历史库存:500

历史单价:0.37500(最新价格请咨询

MOS场效应管 Nexperia BSS84AK,215

P沟道 VDS=-50V VGS=±20V ID=-180mA P=350mW

品牌:Nexperia

历史库存:808

历史单价:0.21191(最新价格请咨询

MOSFETs TECH PUBLIC FS8205A

输入电容(Ciss@Vds):466pF 10V 反向传输电容(Crss@Vds):58pF 10V 功率(Pd):1.5W 阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV 250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19.5mΩ 4.5V,3A 栅极电荷(Qg@Vgs):5.7nC 10V 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 工作温度(最小值):-55℃ (Tj) 类型:2个N沟道

品牌:TECH PUBLIC

历史库存:3000

历史单价:0.24000(最新价格请咨询

MOSFETs WILLSEMI WPM2019-3/TR

功率(Pd):220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):550mA 类型:P沟道

品牌:WILLSEMI

历史库存:500

历史单价:0.28440(最新价格请咨询

MOSFETs UTC UT3N06G-AE3-R

场效应管(MOSFET) N沟道 60V 3A 90mΩ@10V

品牌:UTC

历史库存:3000

历史单价:0.30751(最新价格请咨询

场效应管(MOSFET) APEC AP83T03GH

连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道

品牌:APEC

历史库存:1

历史单价:1.15966(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Hottech AO3400

N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=8A P=350mW

品牌:Hottech

历史库存:2575

历史单价:0.19576(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Hottech SI2301

P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-2.3A P=1.25W

品牌:Hottech

历史库存:33795

历史单价:0.11891(最新价格请咨询

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