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mos场效应管 Nexperia PMDT290UNE,115

图像仅供参考,请参阅产品规格书

mos场效应管 Nexperia PMDT290UNE,115

制造商型号: PMDT290UNE,115
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-666-6
商品描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

PDF资料: PMDT290UNE,115.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    950mV@250µA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    380毫欧@500mA,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    800mA

    导通电阻Rds On(Max)

    380mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.68nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    83pF

    功率(Max)

    330mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-666-6

    技术资料文档
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