存取时间 400ps

包装 Tray

接口类型 SSTL_18

写周期时间-字，页 15ns

原始制造商 Winbond Electronics

品牌 Winbond

零件状态 Active

技术 SDRAM - DDR2

存储器类型 Volatile

存储器格式 DRAM

存储容量 1 (64M x 16)GB

时钟频率（Max） 400MHz

接口 SPI

工作电压（范围） 1.9V

工作温度 0~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 48-VFBGA

包装 Bulk packing

接口类型 Parallel

写周期时间-字，页 25ns

原始制造商 Cypress Semiconductor

品牌 Cypress

零件状态 Active

系列 ML-1

技术 FLASH - NAND

存储器类型 FLASH

存储器格式 FLASH

存储容量 1 (128M x 8)GB

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 TSOP-48

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

包装 Tube packing

接口类型 SPI

写周期时间-字，页 800µs

原始制造商 Winbond Electronics

品牌 Winbond

速度 104MHz

零件状态 Active

系列 SpiFlash®

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 FLASH

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FLASH

存储容量 2 (256K x 8)MB

时钟频率（Max） 104MHz

接口 SPI串行

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 900ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

写周期时间-字，页 5ms

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

速度 400kHz

零件状态 Not For New Designs

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 4 (512 x 8)KB

时钟频率（Max） 400kHz

接口 I²C，2线串口

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

存取时间 900ns

包装 Tube packing

接口类型 I²C

原始制造商 Microchip Technology Inc.

品牌 Microchip

零件状态 Obsolete

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 512 (64K x 8)KB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 900ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

速度 400kHz

零件状态 Not For New Designs

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 8 (1K x 8)KB

时钟频率（Max） 400kHz

接口 I²C，2线串口

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）

待机电流（Max） 4uA (Max)

存取时间 13.75ns

包装 Tape/Reel

接口类型 Parallel

写周期时间-字，页 -

原始制造商 Micron Technology,Inc.

品牌 Micron

零件状态 Active

技术 SDRAM - DDR3L

存储器类型 Volatile

存储器格式 SDRAM

存储容量 2 (128M x 16)GB

时钟频率（Max） 800MHz

工作电压（范围） 1.45V

工作温度 -40~+95℃

安装类型 SMT

封装/外壳 TFBGA-96

包装 Tape/Reel

接口类型 SPI

原始制造商 Cypress Semiconductor

品牌 Cypress

零件状态 Active

系列 F-RAM™

技术 FRAM (Ferroelectric RAM)

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FRAM

存储容量 1 (128K x 8)MB

时钟频率（Max） 40MHz

工作电压（范围） 2V~3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

存取时间 550ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

原始制造商 Fujitsu Limited

品牌 Fujitsu

零件状态 Active

技术 FRAM (Ferroelectric RAM)

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FRAM

存储容量 16 (2K x 8)KB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

循环读写（耐久性） -

工作电流（Max） -

待机电流（Max） -

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

包装 Tray

接口类型 SPI - Quad I/O, QPI, DTR

写周期时间-字，页 -

原始制造商 Winbond Electronics

品牌 Winbond

特性 -

零件状态 Active

系列 SpiFlash®

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 FLASH - NOR

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FLASH

存储容量 128 (16M x 8)MB

时钟频率（Max） 133MHz

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8