湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 150ns

包装 Tube packing

接口类型 Parallel

写周期时间-字，页 10ms

原始制造商 Microchip Technology Inc.

品牌 Microchip

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 64 (8K x 8)KB

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 DIP

封装/外壳 DIP-28

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

存取时间 10ns

包装 Tray

接口类型 Parallel

写周期时间-字，页 10ns

原始制造商 Integrated Silicon Solution, Inc.

品牌 ISSI Silicon

速度 10ns

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 SRAM - Asynchronous

存储器类型 Volatile

存储器格式 SRAM

存储容量 4 (256K x 16)MB

接口 并联

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 TSOP-44

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

包装 Tube packing

接口类型 SPI

写周期时间-字，页 10µs

原始制造商 Microchip Technology Inc.

品牌 Microchip

速度 80MHz

零件状态 Active

系列 SST25

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 FLASH

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FLASH

存储容量 2 (256K x 8)MB

时钟频率（Max） 80MHz

接口 SPI串行

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

循环读写（耐久性） -

工作电流（Max） -

待机电流（Max） -

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

包装 Tube packing

接口类型 SPI - Quad I/O

写周期时间-字，页 3ms

原始制造商 Winbond Electronics

品牌 Winbond

特性 -

速度 104MHz

零件状态 Active

系列 SpiFlash®

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 FLASH - NOR

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FLASH

存储容量 32 (4M x 8)MB

时钟频率（Max） 133MHz

接口 SPI串行

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 550ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

写周期时间-字，页 5ms

原始制造商 Microchip Technology Inc.

品牌 Microchip

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 1 (128K x 8)MB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

存取时间 550ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

原始制造商 Fujitsu Limited

品牌 Fujitsu

零件状态 Active

技术 FRAM (Ferroelectric RAM)

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FRAM

存储容量 16 (2K x 8)KB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 900ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

写周期时间-字，页 5ms

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

速度 400kHz

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 2 (256 x 8)KB

时钟频率（Max） 400kHz

接口 I²C，2线串口

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 550ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

写周期时间-字，页 5ms

原始制造商 Microchip Technology Inc.

品牌 Microchip

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 64 (8K x 8)KB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 550ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

写周期时间-字，页 5ms

原始制造商 Microchip Technology Inc.

品牌 Microchip

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 256 (32K x 8)KB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

包装 Tube packing

接口类型 SPI - Quad I/O

写周期时间-字，页 3ms

原始制造商 Winbond Electronics

品牌 Winbond

零件状态 Active

系列 SpiFlash®

技术 FLASH - NOR

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 闪存

存储容量 64 (8M x 8)MB

时钟频率（Max） 133MHz

接口 SPI - 四 I/O

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 8-SOIC