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MOSFETs WILLSEMI WPT2E33-3/TR

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs WILLSEMI WPT2E33-3/TR

制造商型号: WPT2E33-3/TR
制造商: WILLSEMI
封装/规格: SOT-89
商品描述:
功率(Pd):3W 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 晶体管类型:PNP

PDF资料: WPT2E33-3/TR.pdf

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  • 产品分类

    通用三极管

    晶体管类型

    PNP

    Vce饱和压降(Max)

    40V

    DC电流增益(hFE)(Min&Range)

    100

    集电极电流Ic(Max)

    30mA

    集射极击穿电压Vce(Max)

    30V

    功率(Max)

    3W

    工作温度(Tj)

    -55°C~155°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-89

    技术资料文档
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