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MOS场效应管(单) WINSOK WSD20L120DN56

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) WINSOK WSD20L120DN56

制造商型号: WSD20L120DN56
制造商: WINSOK
封装/规格: DFN5X6-8
商品描述:
P沟道 VDS=-20V VGS=±10V ID=-120A

PDF资料: WSD20L120DN56.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    600mV@250µA

    漏极电流Idss

    -120A

    FET类型

    P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    -20V

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    120A

    导通电阻Rds On(Max)

    2.1mΩ

    功率(Max)

    130W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    DFN5X6-8

    技术资料文档
    数据手册 WSD20L120DN56.pdf

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