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MOSFETs WILLSEMI WPM1481-6/TR

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs WILLSEMI WPM1481-6/TR

制造商型号: WPM1481-6/TR
制造商: WILLSEMI
封装/规格: DFN2X2-6L
商品描述:
功率(Pd):1.4W 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ 4.5V,5.5A 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.3A 类型:P沟道

PDF资料: WPM1481-6/TR.pdf

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  • 数字隔离器 ADI ADUM5401WCRWZ-1RL

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    P沟道

    漏源电压(Vdss)

    12V

    连续漏极电流Id@25℃

    4.3A

    导通电阻Rds On(Max)

    28mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    44.5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    1800pF

    功率(Max)

    1.4W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    DFN2X2-6L

    技术资料文档
    数据手册 WPM1481-6/TR.pdf

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