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MOS场效应管(单) NCE NCE2060K

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) NCE NCE2060K

制造商型号: NCE2060K
制造商: NCE
封装/规格: TO-252
商品描述:
VDS=20V ID=60A PD=60W VGS=±12V

PDF资料: NCE2060K.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    FET类型

    N沟道

    元件生命周期

    Active

    存储温度

    -55~+150℃

    原产国家

    China

    品牌

    NCE

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    60A

    导通电阻Rds On(Max)

    6mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    27nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    2000pF

    功率(Max)

    60W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-252

    技术资料文档
    数据手册 NCE2060K.pdf

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