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MOS场效应管(单) ROHM SCT3160KLGC11

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) ROHM SCT3160KLGC11

制造商型号: SCT3160KLGC11
制造商: ROHM
封装/规格: TO-247 ,SOT-429
商品描述:
N沟道 VDS=1.2KV VGS=-4V~22V ID=17A P=103mW

PDF资料: SCT3160KLGC11.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    5.6V@2.5mA

    漏极电流Idss

    17A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    208毫欧@5A,18V

    漏源极电压(Vdss)

    1200V(1.2kV)

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    1200V

    导通电阻Rds On(Max)

    160mΩ

    输入电容(Ciss)(Max)

    398pF

    工作温度(Tj)

    175°C

    安装类型

    通孔(THT)

    封装/外壳

    TO-247 ,SOT-429

    技术资料文档
    数据手册 SCT3160KLGC11.pdf

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