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MOSFETs VBsemi 2SJ179

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi 2SJ179

制造商型号: 2SJ179
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-89
商品描述:
Vds=30V Id=6A SOT89-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

PDF资料: 2SJ179.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    -30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    -30V

    连续漏极电流Id@25℃

    7.6A

    导通电阻Rds On(Max)

    56mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    38nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    1335pF

    功率(Max)

    6.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-89

    技术资料文档
    数据手册 2SJ179.pdf

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