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MOS场效应管(单) VBsemi VBI1322

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) VBsemi VBI1322

制造商型号: VBI1322
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-89
商品描述:
场效应管 SOT89-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.8A 功率(Pd):6.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@2.5V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA N沟道,30V,6.8A,33mΩ@10V

PDF资料: VBI1322.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    6.8A

    导通电阻Rds On(Max)

    45mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    33nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    12000pF

    功率(Max)

    6.3W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-89

    技术资料文档
    数据手册 VBI1322.pdf

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