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MOS场效应管(单) VBsemi VB1106K

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) VBsemi VB1106K

制造商型号: VB1106K
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
商品描述:
场效应管 SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):260mA 功率(Pd):0.37W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,0.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs):0.5nC@4.5V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: VB1106K.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    100V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    260mA

    导通电阻Rds On(Max)

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    30pF

    功率(Max)

    370mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

    技术资料文档
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