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    MOS场效应管 Nexperia PMGD175XNEX

    图像仅供参考，请参阅产品规格书

    • MOS场效应管 Nexperia PMGD175XNEX

    MOS场效应管 Nexperia PMGD175XNEX

    制造商型号： PMGD175XNEX
    制造商： Nexperia
    封装/规格： SOT-363
    商品描述：
    MOSFET 2N-CH 30V SC-881

    PDF资料： PMGD175XNEX.pdf

    交货地：货期(工作日）：2小时发货
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    • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.25V@250µA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）

    252毫欧@900mA，4.5V

    漏源极电压（Vdss）

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    870mA

    导通电阻Rds On(Max)

    252mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    1.65nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    81pF

    功率(Max)

    310mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-363

    技术资料文档
    数据手册 PMGD175XNEX.pdf

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