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MOS场效应管(阵列) VBsemi VB3222

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) VBsemi VB3222

制造商型号: VB3222
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-23-6
商品描述:
场效应管 TSOP-6 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA N+N沟道,20V,4.8A,22mΩ@4.5V

PDF资料: VB3222.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.2V@250µA

    FET类型

    N+N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    4.8A

    导通电阻Rds On(Max)

    28mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    6nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    235pF

    功率(Max)

    1.4W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-6

    技术资料文档
    数据手册 VB3222.pdf

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