张总
13923880174
MOS场效应管(单) NXP PSMN6R0-30YL,115
| 制造商型号： PSMN6R0-30YL,115 | 制造商：
NXP |
| 封装/规格： SOT-669(SC-100) | |
|
商品描述：
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=79A P=55W
|
|
|
PDF资料： PSMN6R0-30YL,115.pdf | |
交货地：货期(工作日）：2小时发货
库 存：
优势现货
二极管 TI TPD2E001DRLRTPD2E001
二极管 TI TPD4E05U06QDQARQ1
晶体管 TI CSD18534Q5AT
SPC5744PFK1AMLQ9
ADAU1788BCBZRL
数字隔离器 ADI ADUM5401WCRWZ-1RL
- 型号推荐
型号：WSP4406 品牌：WINSOK 数量：2455 PDF资料：Download 
型号：PMV20XNER 品牌：Nexperia 数量： PDF资料：Download 
型号：CJU20N06 品牌：JCET 数量： PDF资料：Download 
型号：PSMN7R8-120PSQ 品牌：Nexperia 数量： PDF资料：Download 
型号：BUK78150-55A/CUX 品牌：Nexperia 数量： PDF资料：Download 
型号：IRFR3709ZTRPBF 品牌：Infineon 数量：15168 PDF资料：Download 
型号：WST3407 品牌：WINSOK 数量：3000 PDF资料：Download 
型号：PSMN102-200Y,115 品牌：Nexperia 数量： PDF资料：Download 
型号：KD2310 品牌：VBsemi 数量：销售,并且 PDF资料：Download 
型号：NTR4170NT1G 品牌：VBsemi 数量：480 PDF资料：Download |
- 最新产品
|
型号：EEEFK1J680UP 品牌：Panasonic 数量： PDF资料：Download 
型号：BW433JWX108-7KJ 品牌：BAT WIRELESS 数量：5 PDF资料：Download 
型号：STM8L151G4U6 品牌：ST 数量： PDF资料：Download 
型号：SIT9121AI-2D3-33E100.000000T 品牌：SiTime 数量： PDF资料：Download 
型号：GMI6050P-2C52db 品牌：INGHAi 数量：7 PDF资料：Download
型号：D050512S-2W 品牌：Sunyuan 数量： PDF资料：Download 
型号：SKHHCQA010 品牌：ALPS 数量：销售,并且 PDF资料：Download 
型号：RC1206FR-072R49L 品牌：Yageo 数量：4290 PDF资料：Download 
型号：0603WAF2101T5E 品牌：Uniohm 数量：4100 PDF资料：Download 
型号：0603WAF2430T5E 品牌：Uniohm 数量：5000 PDF资料：Download |
- 品牌推荐
环球芯城专注于为终端客户提供电子元器件及IC芯片产品。本页面提供：MOS场效应管(单) NXP PSMN6R0-30YL,115的产品信息、价格、参数等内容，以及MOS场效应管(单) NXP PSMN6R0-30YL,115相关产品及品牌。
Emily
