N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=5A
品牌:FM
历史库存:0
历史单价:0.17992(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 650mV@250µA
漏极电流Idss 5A
FET类型 N沟道
漏源极电压(Vdss) 20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 30mΩ
封装/外壳 SOT-26
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7A P=2W
历史单价:0.27005(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 7A
连续漏极电流Id@25℃ 7A
导通电阻Rds On(Max) 19mΩ
功率(Max) 2W
安装类型 表面贴装(SMT)
P沟道 VDS=-9V VGS=±6V ID=-3.5A
历史单价:0.15747(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
漏极电流Idss -3.5A
FET类型 P沟道
漏源极电压(Vdss) -9V
漏源电压(Vdss) 9V
导通电阻Rds On(Max) 60mΩ
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
2N沟道 VDS=50V VGS=±20V ID=200mA P=200mW 2通路
品牌:DIODES
历史单价:0.35765(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
漏极电流Idss 200mA
FET类型 N+N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 3.5欧姆@220mA,10V
漏源极电压(Vdss) 50V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 50V
连续漏极电流Id@25℃ 200mA
导通电阻Rds On(Max) 4.5Ω
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 50pF
功率(Max) 200mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
封装/外壳 SOT-363
2N沟道 VDS=50V VGS=±20V ID=280mA P=250mW 2通路
历史单价:0.44857(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss 280mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 2欧姆@50mA,5V
零件状态 Digi-Key已不再提供
连续漏极电流Id@25℃ 280mA
导通电阻Rds On(Max) 3Ω
功率(Max) 250mW
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
P沟道 VDS=-60V VGS=±20V ID=-3A P=2W
历史单价:1.60380(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 3A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 125毫欧@2.2A,10V
漏源极电压(Vdss) 60V
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 4.3A
导通电阻Rds On(Max) 125mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 17.7nC
输入电容(Ciss)(Max) 637pF
封装/外壳 SOT-223
P沟道 VDS=-20V VGS=±6V ID=-460mA P=270mW
历史单价:0.20097(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 460mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 700毫欧@350mA,4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 460mA
导通电阻Rds On(Max) 700mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 0.58nC
输入电容(Ciss)(Max) 59.76pF
功率(Max) 270mW
封装/外壳 SOT-523
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
品牌:Nexperia
历史单价:0.27481(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA
漏极电流Idss 4.3A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 74毫欧@2.8A,4.5V
导通电阻Rds On(Max) 74mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 7.7nC
输入电容(Ciss)(Max) 744pF
功率(Max) 480mW
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
N沟道 VDS=20V VGS=±20V ID=60A P=125W
品牌:Vishay
历史单价:18.89510(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 60A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.6毫欧@25A,10V
导通电阻Rds On(Max) 1.6mΩ
功率(Max) 5.2W
封装/外壳 SMF,DO-219AC
MOSFET N-CH 900V 22A
品牌:Cree
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。C3M0120090J价格参考¥49.87314。CreeC3M0120090J封装/规格:TO_263_8,D²Pak(7引线+接片),TO_263CA,MOSFET N-CH 900V 22A。你可以下载C3M0120090J中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:C3M0120090J<!--
历史单价:56.67402(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3.5V@3mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 155毫欧@15A,15V
漏源极电压(Vdss) 900V
漏源电压(Vdss) 900V
导通电阻Rds On(Max) 120mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 17.3nC
功率(Max) 83W