MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
品牌:AOS
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。AOD444价格参考¥0.92396。AOSAOD444封装/规格:SOT-428,DPAK,MOSFET N-CH 60V 12A TO-252。你可以下载AOD444中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:AOD444<!--
历史单价:1.17595(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 12A
FET类型 N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 60毫欧@12A,10V
漏源极电压(Vdss) 60V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 60V
导通电阻Rds On(Max) 60mΩ
功率(Max) 2.1W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=100A P=238W
品牌:Nexperia
历史库存:0
历史单价:5.61598(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.4毫欧@25A,10V
漏源极电压(Vdss) 40V
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流Id@25℃ 240A
导通电阻Rds On(Max) 1.4mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 143nC
输入电容(Ciss)(Max) 10413pF
功率(Max) 238W
封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
品牌:ON
历史库存:销售,并且可以通过 Digikey、 等渠道进行代购。NTJD5121NT1G价格参考¥0.14108。ONNTJD5121NT1G封装/规格:6_TSSOP,SC_88,SOT_363,MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363。你可以下载NTJD5121NT1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:NTJD5121NT1G<!--
历史单价:0.19238(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
漏极电流Idss 295mA
FET类型 N+N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.6欧姆@500mA,10V
导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω
栅极电荷(Qg)(Max) 0.9nC
输入电容(Ciss)(Max) 26pF
功率(Max) 250mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
N沟道 VDS=150V VGS=±20V ID=25A P=107W
品牌:Vishay
历史单价:19.69900(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
漏极电流Idss 25A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 52毫欧@15A,10V
漏源极电压(Vdss) 150V
漏源电压(Vdss) 150V
导通电阻Rds On(Max) 38mΩ
N沟道 VDS=650V VGS=30V ID=7A P=46W
品牌:UMW
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。UMW 7N65F价格参考¥0.91300。UMWUMW 7N65F封装/规格:TO-220F,N沟道 VDS=650V VGS=30V ID=7A P=46W。你可以下载UMW 7N65F中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:UMW 7N65F<!--
历史单价:1.16200(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 7A
漏源极电压(Vdss) 650V
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流Id@25℃ 7A
导通电阻Rds On(Max) 1.1Ω
功率(Max) 46W
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-220F
N沟道 VDS=650V VGS=30V ID=10A
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。UMW 10N65F价格参考¥1.50700。UMWUMW 10N65F封装/规格:TO-220F,N沟道 VDS=650V VGS=30V ID=10A。你可以下载UMW 10N65F中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:UMW 10N65F<!--
历史单价:1.84950(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 10A
导通电阻Rds On(Max) 750mΩ
P沟道 VDS=-20V VGS=8V ID=-2.8A P=0.4W
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。UMW FDN338P价格参考¥0.11990。UMWUMW FDN338P封装/规格:SOT-23,P沟道 VDS=-20V VGS=8V ID=-2.8A P=0.4W。你可以下载UMW FDN338P中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:UMW FDN338P<!--
历史单价:0.16350(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss -2.8A
FET类型 P沟道
漏源极电压(Vdss) -20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 90mΩ
功率(Max) 0.4W
封装/外壳 SOT-23
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23
历史库存:销售,并且可以通过 Digikey、 等渠道进行代购。NTR4003NT1G价格参考¥0.17808。ONNTR4003NT1G封装/规格:SOT-346,MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23。你可以下载NTR4003NT1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:NTR4003NT1G<!--
历史单价:0.13492(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
漏极电流Idss 500mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.5欧姆@10mA,4V
漏源极电压(Vdss) 30V
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 500mA
导通电阻Rds On(Max) 1Ω
功率(Max) 690mW
封装/外壳 SOT-346
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
历史库存:销售,并且可以通过 Digikey、 等渠道进行代购。2N7002KT1G价格参考¥0.15749。ON2N7002KT1G封装/规格:SOT-346,MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23。你可以下载2N7002KT1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:2N7002KT1G<!--
历史单价:0.21476(最新价格请咨询)
连续漏极电流Id@25℃ 320mA
栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC
输入电容(Ciss)(Max) 24.5pF
功率(Max) 350mW
N沟道 VDS=100V VGS=±25V ID=70A
品牌:WINSOK
历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。WSF70N10价格参考¥1.79300。WINSOKWSF70N10封装/规格:TO-252,N沟道 VDS=100V VGS=±25V ID=70A。你可以下载WSF70N10中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:WSF70N10<!--
历史单价:2.20050(最新价格请咨询)
漏极电流Idss 70A
漏源极电压(Vdss) 100V
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流Id@25℃ 70A
导通电阻Rds On(Max) 10mΩ
功率(Max) 113W
封装/外壳 TO-252