N沟道 VDS=30V VGS=12V ID=4A P=350mW
品牌：UMW
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。UMW AO3402A价格参考￥0.15400。UMWUMW AO3402A封装/规格：SOT-23,N沟道 VDS=30V VGS=12V ID=4A P=350mW。你可以下载UMW AO3402A中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：UMW AO3402A<!--
历史单价：0.21000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
漏极电流Idss 4A
FET类型 N沟道
漏源极电压（Vdss） 30V
漏源电压(Vdss) 30V
功率(Max) 350mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23
P沟道 VDS=-50V VGS=20V ID=-130mA P=300mW
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。UMW BSS84价格参考￥0.06804。UMWUMW BSS84封装/规格：SOT-23,P沟道 VDS=-50V VGS=20V ID=-130mA P=300mW。你可以下载UMW BSS84中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：UMW BSS84<!--
历史单价：0.09450（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@1mA
漏极电流Idss -130mA
FET类型 P沟道
漏源极电压（Vdss） -50V
漏源电压(Vdss) 50V
连续漏极电流Id@25℃ 130mA
导通电阻Rds On(Max) 10Ω
功率(Max) 300mW
N沟道 VDS=20V VGS=8V ID=3.77A P=750mW
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。UMW SI2312A价格参考￥0.16500。UMWUMW SI2312A封装/规格：SOT-23,N沟道 VDS=20V VGS=8V ID=3.77A P=750mW。你可以下载UMW SI2312A中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：UMW SI2312A<!--
历史单价：0.22500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 650mV@250µA
漏极电流Idss 3.77A
漏源极电压（Vdss） 20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 51mΩ
功率(Max) 750mW
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
品牌：AOS
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。AO4435价格参考￥1.02960。AOSAO4435封装/规格：SOT96-1,MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC。你可以下载AO4435中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：AO4435<!--
历史单价：1.31040（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 10.5A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14毫欧@11A，20V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
导通电阻Rds On(Max) 14mΩ
功率(Max) 3.1W
封装/外壳 SOT96-1
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=52A P=83W
品牌：Vishay
历史库存：销售,并且可以通过 Future、 等渠道进行代购。SQJ459EP-T1_GE3价格参考￥5.80405。VishaySQJ459EP-T1_GE3封装/规格：PowerPAK® SO_8,N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=52A P=83W。你可以下载SQJ459EP-T1_GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：SQJ459EP-T1_GE3<!
历史单价：7.12315（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 18毫欧@3.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 60V
导通电阻Rds On(Max) 18mΩ
输入电容(Ciss)(Max) 4586pF
功率(Max) 83W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
N沟道 VDS=600V VGS=±30V ID=15A P=180W
历史库存：销售,并且可以通过 Future、Rs、 等渠道进行代购。SIHB15N60E-GE3价格参考￥31.50406。VishaySIHB15N60E-GE3封装/规格：TO-263-2(D2Pak,TO-263AB),N沟道 VDS=600V VGS=±30V ID=15A P=180W。你可以下载SIHB15N60E-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：SIHB15N
历史单价：35.80007（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
漏极电流Idss 15A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 280毫欧@8A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
漏源电压(Vdss) 600V
导通电阻Rds On(Max) 280mΩ
功率(Max) 180W
P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-4A P=900mW
品牌：DIODES
历史库存：0
历史单价：0.34500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 39毫欧@4A，4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 4A
导通电阻Rds On(Max) 42.5mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 9.1nC
输入电容(Ciss)(Max) 294pF
功率(Max) 900mW
2P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-5.8A P=2W 2通路
历史单价：1.59983（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA
漏极电流Idss 5.8A
FET类型 P+P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 40毫欧@4.6A，4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 5.8A
导通电阻Rds On(Max) 40mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 10.1nC
输入电容(Ciss)(Max) 820pF
功率(Max) 2W
封装/外壳 SO-8
P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-2.7A P=1.1W
品牌：Hottech
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。SI2307价格参考￥0.15724。HottechSI2307封装/规格：SOT-23,P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-2.7A P=1.1W。你可以下载SI2307中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：SI2307<!--
历史单价：0.21442（最新价格请咨询）
漏源极电压（Vdss） -30V
导通电阻Rds On(Max) 110mΩ
功率(Max) 1.1W
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=50A
品牌：WINSOK
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。WSF50N10价格参考￥2.31000。WINSOKWSF50N10封装/规格：TO-252,N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=50A。你可以下载WSF50N10中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：WSF50N10<!--
历史单价：2.83500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss 50A
漏源极电压（Vdss） 100V
漏源电压(Vdss) 100V
导通电阻Rds On(Max) 22mΩ
封装/外壳 TO-252
