二极管/晶体管
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晶体管 Vishay SI4401DDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

品牌:Vishay

历史库存:销售,并且可以通过 Digikey、Future、 等渠道进行代购。SI4401DDY-T1-GE3价格参考¥1.20881。VishaySI4401DDY-T1-GE3封装/规格:SOT96-1,MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC。你可以下载SI4401DDY-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:SI4401DDY-T1-GE3<!

历史单价:1.48354(最新价格请咨询

场效应管(MOS管) PJ PJM2319PSA

P-Enhancement Field Effect Transistor

品牌:PJ

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。PJM2319PSA价格参考¥0.21830。PJPJM2319PSA封装/规格:SOT-23,P-Enhancement Field Effect Transistor。你可以下载PJM2319PSA中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:PJM2319PSA<!--

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MOS(场效应管) Anpec APM4953KC-TRG

2P沟道 Id=4.9A Vdss=-30V 2V@250uA 60mΩ@4.9A,10V 2.5W

品牌:Anpec

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。APM4953KC-TRG价格参考¥0.88483。AnpecAPM4953KC-TRG封装/规格:SO-8,2P沟道 Id=4.9A Vdss=-30V 2V@250uA 60mΩ@4.9A,10V 2.5W。你可以下载APM4953KC-TRG中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:APM4953KC-TRG<!--

历史单价:0.88483(最新价格请咨询

场效应管(MOSFET) LRC LP3218DT1G

12V P-Channel Enhancement MOSFET

品牌:LRC

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。LP3218DT1G价格参考¥0.41477。LRCLP3218DT1G封装/规格:DFN 2020-6S,12V P-Channel Enhancement MOSFET。你可以下载LP3218DT1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:LP3218DT1G<!--

历史单价:0.56560(最新价格请咨询

MOS场效应管 友顺(UTC) 2N60L-TN3-R

N沟道 VDS=600V ID=2A P=44W

品牌:友顺(UTC)

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。2N60L-TN3-R价格参考¥0.42001。友顺(UTC)2N60L-TN3-R封装/规格:TO-252-2(DPAK),N沟道 VDS=600V ID=2A P=44W。你可以下载2N60L-TN3-R中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:2N60L-TN3-R<!--

历史单价:0.57274(最新价格请咨询

未知 iscsemi IRFB5620

N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=25A P=144W

品牌:iscsemi

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。IRFB5620价格参考¥14.51948。iscsemiIRFB5620封装/规格:SOT78,TO-220AB,SC-46,N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=25A P=144W。你可以下载IRFB5620中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:IRFB5620<!--

历史单价:17.15939(最新价格请咨询

MOSFETs Toshiba TPH3R70APL,L1Q

MOSFET N-CH 100V 90A

品牌:Toshiba

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。TPH3R70APL,L1Q价格参考¥10.59720。ToshibaTPH3R70APL,L1Q封装/规格:SOP-8,MOSFET N-CH 100V 90A。你可以下载TPH3R70APL,L1Q中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:TPH3R70APL,L1Q<!--

历史单价:13.00565(最新价格请咨询

MOS场效应管 AOS AO4468

MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

品牌:AOS

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。AO4468价格参考¥0.00000。AOSAO4468封装/规格:SOT96-1,MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC。你可以下载AO4468中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:AO4468<!--

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MOS场效应管(单) TI CSD23381F4

P沟道 VDS=12V VGS=-8V ID=2.3A P=500mW

品牌:TI

历史库存:销售,并且可以通过 Digikey、 等渠道进行代购。CSD23381F4价格参考¥0.32340。TICSD23381F4封装/规格:3_XFDFN,P沟道 VDS=12V VGS=-8V ID=2.3A P=500mW。你可以下载CSD23381F4中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:CSD23381F4<!--

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MOS场效应管(单) Ruichips RU1HE12L

场效应管(单) TO-252 N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=12A(Tc) P=40W(Tc)

品牌:Ruichips

历史库存:销售,并且可以通过 等渠道进行代购。RU1HE12L价格参考¥0.63800。RuichipsRU1HE12L封装/规格:TO-252,场效应管(单) TO-252 N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=12A(Tc) P=40W(Tc)。你可以下载RU1HE12L中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:RU1HE12L<!--

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