MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
品牌：Infineon
历史库存：50
历史单价：13.42440（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@50µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15.8毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET N CH 40V 195A TO220
历史库存：2450
历史单价：11.07000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.9V@150µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2毫欧@100A，10V
漏源极电压（Vdss） 40V
输入电容(Ciss)(Max) 7330pF
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
品牌：TI
历史库存：6
历史单价：5.90200（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.8V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 59毫欧@5A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
栅极电荷(Qg)(Max) 4.3nC
输入电容(Ciss)(Max) 454pF
工作温度(Tj) -55°C~150°C
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
历史单价：1.55601（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 70毫欧@10A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
历史库存：98
历史单价：2.75852（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 300毫欧@5.4A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
输入电容(Ciss)(Max) 575pF
MOSFETP-CHAN40VSO23
品牌：Vishay
历史库存：100
历史单价：1.94440（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 94毫欧@10A，10V
封装/外壳 SOT-346
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
历史单价：2.75453（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.6欧姆@1A，10V
漏源极电压（Vdss） 400V
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
品牌：ROHM
历史库存：200
历史单价：0.55020（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@100µA
FET类型 N+N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5欧姆@100mA，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 7.1pF
功率(Max) 120mW
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
历史单价：5.14150（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） -
漏源极电压（Vdss） 30V
是否无铅 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
连续漏极电流Id@25℃ 20A
功率(Max) 6W
MOSFETN-CH75V183ATO220
历史单价：8.91000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.7V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5毫欧@100A，10V
漏源极电压（Vdss） 75V
输入电容(Ciss)(Max) 10150pF
