MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
品牌：Infineon
历史库存：37
历史单价：2.20996（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 105毫欧@10A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
输入电容(Ciss)(Max) 800pF
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET N-CH 40V 23A TO252
品牌：AOS
历史库存：20
历史单价：6.66989（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.2V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3毫欧@20A，10V
漏源极电压（Vdss） 40V
MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC
历史库存：10
历史单价：18.84275（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.85毫欧@195A，10V
漏源极电压（Vdss） 75V
栅极电荷(Qg)(Max) 570nC
输入电容(Ciss)(Max) 19230pF
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
历史单价：38.60549（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.9V@2.7mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 70毫欧@30A，10V
漏源极电压（Vdss） 650V
栅极电荷(Qg)(Max) 320nC
工作温度(Tj) -55°C~150°C
MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
历史单价：22.09150（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 23毫欧@56A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
输入电容(Ciss)(Max) 6040pF
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
历史单价：6.89999（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.7毫欧@75A，10V
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
历史库存：622
历史单价：4.45499（最新价格请咨询）
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@16A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
栅极电荷(Qg)(Max) 63nC
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
历史库存：53
历史单价：22.07319（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@38A，10V
栅极电荷(Qg)(Max) 230nC
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
品牌：Vishay
历史库存：100
历史单价：1.94440（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.8V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 21毫欧@8.4A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
封装/外壳 SOT96-1
历史单价：5.34599（最新价格请咨询）
