MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
品牌:Infineon
历史库存:20
历史单价:2.59201(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
FET类型 P+P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 58毫欧@4.9A,10V
漏源极电压(Vdss) 30V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
连续漏极电流Id@25℃ 4.9A
栅极电荷(Qg)(Max) 34nC
输入电容(Ciss)(Max) 710pF
功率(Max) 2W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
历史库存:40
历史单价:4.18665(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 36毫欧@23A,10V
漏源极电压(Vdss) 100V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
P-Channel 20V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
品牌:ROHM
历史库存:500
历史单价:0.75933(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2V@1mA
FET类型 P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 75毫欧@3A,4.5V
漏源极电压(Vdss) 20V
零件状态 不可用于新设计
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET N CH 40V 195A TO220
历史库存:15
历史单价:6.02573(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3.9V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.6毫欧@100A,10V
漏源极电压(Vdss) 40V
栅极电荷(Qg)(Max) 324nC
输入电容(Ciss)(Max) 10820pF
封装/外壳 SOT78,TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
历史库存:50
历史单价:11.44125(最新价格请咨询)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 12毫欧@43A,10V
漏源极电压(Vdss) 55V
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
历史库存:7990
历史单价:0.41190(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1V@100µA
FET类型 N+P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 3.5欧姆@100mA,4.5V
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 7.1pF
功率(Max) 120mW
MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
历史单价:0.29400(最新价格请咨询)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.2欧姆@200mA,4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 200mA
栅极电荷(Qg)(Max) 1.4nC
N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
历史库存:100
历史单价:2.33549(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 65毫欧@3.1A,10V
栅极电荷(Qg)(Max) 15.6nC
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
品牌:Vishay
历史单价:7.74410(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 14毫欧@10.5A,10V
输入电容(Ciss)(Max) -
MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3
历史库存:1000
历史单价:0.25906(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.3V@1mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 2.4欧姆@250mA,10V
漏源极电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 250mA
封装/外壳 SOT-723