阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

导通电阻Rds On(Max) 2.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 36.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 2419pF

功率(Max) 91W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 46nC

输入电容(Ciss)(Max) 4157pF

功率(Max) 142W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.1毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 117nC

输入电容(Ciss)(Max) 6810pF

功率(Max) 211W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.1毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 117nC

输入电容(Ciss)(Max) 6810pF

功率(Max) 211W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 150A

导通电阻Rds On(Max) 1.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 230nC

输入电容(Ciss)(Max) 13200pF

功率(Max) 349W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.8毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 96nC

输入电容(Ciss)(Max) 6680pF

功率(Max) 272W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 19毫欧@6.9A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 6.9A

导通电阻Rds On(Max) 19mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 17nC

输入电容(Ciss)(Max) 1136pF

功率(Max) 550mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 46毫欧@3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4A

导通电阻Rds On(Max) 46mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 17.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 1410pF

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 34毫欧@5.2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 5.2A

导通电阻Rds On(Max) 34mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 23nC

输入电容(Ciss)(Max) 1575pF

功率(Max) 550mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

阈值电压Vgs(th) 1.15V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 115毫欧@2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2A

导通电阻Rds On(Max) 115mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 560pF

功率(Max) 375mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363