阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 3.5A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 25毫欧@7A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-26

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

漏极电流Idss 4.2A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 52毫欧@4.2A、4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.2A

导通电阻Rds On(Max) 52mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 808pF

功率(Max) 1.4W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 450mV@250µA（最小）

漏极电流Idss 2.8A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 120毫欧@2.8A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 120mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 14.5nC

功率(Max) 1.25W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

功率(Max) 1.38W

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 75V

漏源电压(Vdss) 75V

导通电阻Rds On(Max) 5mΩ

功率(Max) 300W

封装/外壳 TO-220

阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.55毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.55mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 65nC

输入电容(Ciss)(Max) 4044pF

功率(Max) 179W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.42毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.42mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 54.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 3840pF

功率(Max) 166W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.24毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 250A

导通电阻Rds On(Max) 1.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 68nC

输入电容(Ciss)(Max) 4616pF

功率(Max) 194W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.1毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 46.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 2939pF

功率(Max) 91W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.15毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

导通电阻Rds On(Max) 3.15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 34.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 2330pF

功率(Max) 88W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33