阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 55毫欧@2.4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3.5A

导通电阻Rds On(Max) 55mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11nC

输入电容(Ciss)(Max) 1000pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 620毫欧@600mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 600mA

导通电阻Rds On(Max) 620mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 21.3pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@3.6A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3.6A

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12nC

输入电容(Ciss)(Max) 744pF

功率(Max) 490mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 447毫欧@1.2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1.2A

导通电阻Rds On(Max) 447mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 2.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 116pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1215，DFN1010D-3

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 67毫欧@3.2A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 3.2A

导通电阻Rds On(Max) 67mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11nC

输入电容(Ciss)(Max) 295pF

功率(Max) 400mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1215，DFN1010D-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 150毫欧@1.8A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1.8A

导通电阻Rds On(Max) 150mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 93pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@410mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 410mA

导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 1.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 43.2pF

功率(Max) 310mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 500mA

导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 2.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 43pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 620毫欧@600mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 600mA

导通电阻Rds On(Max) 620mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 21.3pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 620毫欧@600mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 600mA

导通电阻Rds On(Max) 620mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 21.3pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3