阈值电压Vgs(th) 1V@100µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@150mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 150mA

栅极电荷(Qg)(Max) -

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 500毫欧@6.6A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 200毫欧@2A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 2000mA

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

漏极电流Idss 5A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 42毫欧@3.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 42mΩ

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 30毫欧@4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 1.5V@1mA

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 100毫欧@2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 2A

栅极电荷(Qg)(Max) 3.9nC

功率(Max) 1.25W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

功率(Max) 32.9W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO-252-4L

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2.9A

导通电阻Rds On(Max) 47mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 500pF

功率(Max) 700mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3

阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA

漏极电流Idss 5.8A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 28mΩ

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23