阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 3A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 60V

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 120mΩ

功率(Max) 1.38W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

导通电阻Rds On(Max) 4.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 29.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 1795pF

功率(Max) 65W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 42.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 2683pF

功率(Max) 148W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.6毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 5.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 141nC

输入电容(Ciss)(Max) 8061pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 4.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 170nC

输入电容(Ciss)(Max) 9900pF

功率(Max) 338W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 105毫欧@2.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 2.8A

导通电阻Rds On(Max) 105mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 14.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 504pF

功率(Max) 1.6W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 33毫欧@5A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5A

导通电阻Rds On(Max) 33mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 18.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 1150pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 37毫欧@5.5A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 7.9A

导通电阻Rds On(Max) 37mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 23nC

输入电容(Ciss)(Max) 1575pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 19.5毫欧@7A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 7.2A

栅极电荷(Qg)(Max) 10.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 435pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 19毫欧@8.2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 12V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 12V

连续漏极电流Id@25℃ 8.2A

导通电阻Rds On(Max) 19mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 100nC

输入电容(Ciss)(Max) 2875pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6