阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 380毫欧@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 800mA

导通电阻Rds On(Max) 380mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.68nC

输入电容(Ciss)(Max) 83pF

功率(Max) 330mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-666-6

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 P+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 500mA

导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 2.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 43pF

功率(Max) 380mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1216，DFN1010B-6

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 99毫欧@2.8A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 2.7A

导通电阻Rds On(Max) 99mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 4.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 258pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020-6

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 102毫欧@2.7A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3.7A

导通电阻Rds On(Max) 102mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 550pF

功率(Max) 485mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020-6

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 620毫欧@600mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 600mA

导通电阻Rds On(Max) 620mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 21.3pF

功率(Max) 265mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1216，DFN1010B-6

阈值电压Vgs(th) 2.4V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6欧姆@500mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 320mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 420mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) -

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.2A

导通电阻Rds On(Max) 80mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10nC

输入电容(Ciss)(Max) 450pF

功率(Max) 400mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 WLCSP-4

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 14A

导通电阻Rds On(Max) 43mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 36nC

输入电容(Ciss)(Max) 1260pF

功率(Max) 15W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 3.6V @ 1mA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 50A

导通电阻Rds On(Max) 6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 28nC

输入电容(Ciss)(Max) 1875pF

功率(Max) 70W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK33-8