阈值电压Vgs(th) -

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 380A

导通电阻Rds On(Max) 0.67mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 188nC

输入电容(Ciss)(Max) 10368pF

功率(Max) 333W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1023,LFPAK56, Power-SO8

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 600mA

导通电阻Rds On(Max) 620mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 21.3pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 79.5A

导通电阻Rds On(Max) 10.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 34.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 2258pF

功率(Max) 152W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 63

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 80V

功率(Max) 725mW

跃迁频率 140MHz

工作温度(Tj) 175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-223

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 63

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 45V

功率(Max) 600mW

跃迁频率 155MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-223

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 1000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 60V

功率(Max) 600mW

跃迁频率 155MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-223

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 450mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 160

集电极电流Ic(Max) 800mA

集射极击穿电压Vce(Max) 45V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 700mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 250

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 45V

功率(Max) 320mW

跃迁频率 80MHz

工作温度(Tj) 175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 700mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 160

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 45V

功率(Max) 320mW

跃迁频率 80MHz

工作温度(Tj) 175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 700mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 250

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 45V

功率(Max) 350mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB