阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 63A

导通电阻Rds On(Max) 20mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 4373pF

功率(Max) 200W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 过期

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 169nC

输入电容(Ciss)(Max) 12030pF

功率(Max) 349W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.6毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 5.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 91nC

输入电容(Ciss)(Max) 7446pF

功率(Max) 300W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 31毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 34A

导通电阻Rds On(Max) 31mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 29.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 1738pF

功率(Max) 96W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 6.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 6000pF

功率(Max) 300W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 2.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 258nC

输入电容(Ciss)(Max) 15300pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 不适用 / 不适用

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 78A

导通电阻Rds On(Max) 10mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 52nC

输入电容(Ciss)(Max) 5251pF

功率(Max) 158W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 77毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 18A

导通电阻Rds On(Max) 77mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 422pF

功率(Max) 51W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 550毫欧@6A，10V

漏源极电压（Vdss） 400V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 400V

导通电阻Rds On(Max) 550mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 63nC

功率(Max) 125W

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 18毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 56A

导通电阻Rds On(Max) 19mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 72.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 5085pF

功率(Max) 167W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)