阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5欧姆@300mA，10V

漏源极电压（Vdss） 250V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 250V

连续漏极电流Id@25℃ 375mA

导通电阻Rds On(Max) 5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 120pF

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5欧姆@300mA，10V

漏源极电压（Vdss） 250V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 250V

连续漏极电流Id@25℃ 375mA

导通电阻Rds On(Max) 5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 120pF

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.6V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6欧姆@320mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 320mA

导通电阻Rds On(Max) 1.6Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 56pF

功率(Max) 445mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363-6，SC-88

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 11.5mΩ

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 35mΩ

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 42毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 150V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 150V

连续漏极电流Id@25℃ 45.1A

导通电阻Rds On(Max) 42mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 32nC

输入电容(Ciss)(Max) 1770pF

功率(Max) 230W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 25毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 47A

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 61nC

输入电容(Ciss)(Max) 2600pF

功率(Max) 150W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 77毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

连续漏极电流Id@25℃ 32.7A

导通电阻Rds On(Max) 77mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 32.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 1870pF

功率(Max) 230W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 70毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 19A

导通电阻Rds On(Max) 70mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 9.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 650pF

功率(Max) 56W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 10mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 13.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 1220pF

功率(Max) 120W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK