阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 49毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 16A

导通电阻Rds On(Max) 55mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 5.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 725pF

功率(Max) 32W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 44nC

输入电容(Ciss)(Max) 4901pF

功率(Max) 203W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 27毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 46A

导通电阻Rds On(Max) 27mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 33nC

输入电容(Ciss)(Max) 4360pF

功率(Max) 157W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 18.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 63A

导通电阻Rds On(Max) 18.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 53.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 5657pF

功率(Max) 203W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 72毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 23A

导通电阻Rds On(Max) 72mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 24.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 1704pF

功率(Max) 99W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 5.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 48nC

输入电容(Ciss)(Max) 6900pF

功率(Max) 182W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3欧姆@400mA，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

连续漏极电流Id@25℃ 400mA

导通电阻Rds On(Max) 3Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 10nC

输入电容(Ciss)(Max) 120pF

功率(Max) 580mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-89

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 73A

导通电阻Rds On(Max) 13mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 3307pF

功率(Max) 149W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5欧姆@340mA，10V

漏源极电压（Vdss） 240V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 240V

连续漏极电流Id@25℃ 375mA

导通电阻Rds On(Max) 5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 120pF

功率(Max) 1.5W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 29毫欧@12A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 33A

导通电阻Rds On(Max) 29mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 34nC

输入电容(Ciss)(Max) 2000pF

功率(Max) 80W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK