阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 30毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 20.7A

导通电阻Rds On(Max) 30mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 794pF

功率(Max) 38W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 75毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 20.3A

导通电阻Rds On(Max) 75mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 483pF

功率(Max) 62W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 82.5mOhm@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 13A

导通电阻Rds On(Max) 82.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 13.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 811pF

功率(Max) 38W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.6毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 2.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 158nC

输入电容(Ciss)(Max) 11180pF

功率(Max) 349W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 1.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 118nC

输入电容(Ciss)(Max) 9700pF

功率(Max) 324W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 26A

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 1377pF

功率(Max) 106W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 180nC

输入电容(Ciss)(Max) 11810pF

功率(Max) 357W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 54nC

输入电容(Ciss)(Max) 4405pF

功率(Max) 182W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 103nC

输入电容(Ciss)(Max) 7480pF

功率(Max) 263W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 150毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 5.5A

导通电阻Rds On(Max) 150mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 230pF

功率(Max) 8W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)