IGBT 600V 80A 290W TO247
品牌：ON
历史库存：100
历史单价：13.82940（最新价格请咨询）
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
功率(Max) 290W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
历史库存：20
历史单价：18.59000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 56毫欧@29.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 300V
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
品牌：Vishay
历史库存：10
历史单价：10.14300（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 400毫欧@8.4A，10V
漏源极电压（Vdss） 500V
输入电容(Ciss)(Max) 2038pF
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
历史单价：2.43053（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.6V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.2毫欧@15A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
历史单价：16.37675（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 220毫欧@16A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
历史单价：2.80852（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.2V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9.5毫欧@10A，10V
MOSFET P-CH 20V POWER33
历史库存：35
历史单价：10.28820（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4m옴@18A,4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
历史单价：5.77638（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 33毫欧@10A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
栅极电荷(Qg)(Max) 19.5nC
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
历史库存：189
历史单价：2.41313（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
FET类型 N+N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 46毫欧@3.9A，4.5V
连续漏极电流Id@25℃ 4.5A
功率(Max) 7.8W
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
历史库存：70
历史单价：1.65126（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
FET类型 N+P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 77毫欧@3A，4.5V
输入电容(Ciss)(Max) -
功率(Max) 830mW
