P沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=1A P=290mW
品牌：Nexperia
历史库存：100
历史单价：0.70721（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.15V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 200毫欧@1A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 1A
导通电阻Rds On(Max) 200mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 3.9nC
输入电容(Ciss)(Max) 280pF
功率(Max) 290mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-323，SC-70
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A P=830mW
历史单价：0.72281（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@1mA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 120毫欧@1A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 1900mA
导通电阻Rds On(Max) 120mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 10nC
输入电容(Ciss)(Max) 190pF
功率(Max) 830mW
工作温度(Tj) -65°C~150°C
封装/外壳 SOT-23
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
品牌：Vishay
历史库存：475
历史单价：0.82376（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@4.7A，4.5V
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
品牌：ON
历史库存：2489
历史单价：1.75500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@5.3A，10V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
品牌：DIODES
历史单价：2.34225（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 250毫欧@3.2A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
连续漏极电流Id@25℃ 2000mA
栅极电荷(Qg)(Max) 7.7nC
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=21.7A P=89W
历史库存：0
历史单价：0
阈值电压Vgs(th) 4V@1mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 75毫欧@13A，10V
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流Id@25℃ 21.7A
导通电阻Rds On(Max) 75mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 1210pF
功率(Max) 89W
封装/外壳 SOT-428,DPAK
N沟道 VDS=55V VGS=±20V ID=38A P=88W
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 30毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流Id@25℃ 38A
导通电阻Rds On(Max) 30mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 24nC
输入电容(Ciss)(Max) 1152pF
功率(Max) 88W
N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=120A P=349W
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 40V
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流Id@25℃ 120A
导通电阻Rds On(Max) 1.6mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 145nC
输入电容(Ciss)(Max) 11340pF
功率(Max) 349W
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
N沟道 VDS=55V VGS=±16V ID=57A P=125W
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 18毫欧@25A，10V
连续漏极电流Id@25℃ 57A
导通电阻Rds On(Max) 18mΩ
输入电容(Ciss)(Max) 2000pF
功率(Max) 125W
N沟道 VDS=75V VGS=±20V ID=75A P=157W
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 75V
漏源电压(Vdss) 75V
连续漏极电流Id@25℃ 75A
导通电阻Rds On(Max) 13mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 40nC
输入电容(Ciss)(Max) 2644pF
功率(Max) 157W
