阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 58A

导通电阻Rds On(Max) 13mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 22.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 1730pF

功率(Max) 96W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 40A

导通电阻Rds On(Max) 10mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 30.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 2163pF

功率(Max) 64W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9.6毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

栅极电荷(Qg)(Max) 59.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 2920pF

功率(Max) 182W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 43毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 40A

导通电阻Rds On(Max) 9.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 34.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 2348pF

功率(Max) 68W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.4毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 7.4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 24nC

输入电容(Ciss)(Max) 1730pF

功率(Max) 96W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT-226

FET类型 N沟道

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 47A

导通电阻Rds On(Max) 15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 17nC

输入电容(Ciss)(Max) 2230pF

功率(Max) 75W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK33-8

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 30A

导通电阻Rds On(Max) 16mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 14.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 1061pF

功率(Max) 38W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 4.4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 33.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 4483pF

功率(Max) 137W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12.5mOhm@10A，5V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 40A

导通电阻Rds On(Max) 12.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 22.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 2953pF

功率(Max) 64W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.3mOhm@10A，5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 40A

导通电阻Rds On(Max) 10mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 26.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 3065pF

功率(Max) 68W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8