MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
品牌：ON
历史库存：50
历史单价：9.37500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4.5V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.1毫欧@24A，10V
漏源极电压（Vdss） 80V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
栅极电荷(Qg)(Max) 101nC
输入电容(Ciss)(Max) 7005pF
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3PN
历史库存：20
历史单价：13.22100（最新价格请咨询）
零件状态 过期
功率(Max) 160W
安装类型 通孔(THT)
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
品牌：ST
历史单价：7.33331（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 220毫欧@8A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
历史单价：4.32913（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6.5毫欧@40A，10V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET2N-CH30V30AV-DFN3030-8
品牌：DIODES
历史库存：750
历史单价：1.34400（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11.1毫欧@14.4A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 30A
导通电阻Rds On(Max) 11.1mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 20nC
输入电容(Ciss)(Max) 1500pF
功率(Max) 1.2W
封装/外壳 V-DFN3030-8
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
历史库存：119
历史单价：0.96375（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 750毫欧@2A，10V
漏源极电压（Vdss） 130V
栅极电荷(Qg)(Max) 5.6nC
封装/外壳 SOT-346
MOSFETN-CH60V36ASO8FL
历史单价：9.10110（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.5毫欧@50A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
输入电容(Ciss)(Max) 6660pF
MOSFETN-CH40V200ASO8FL
历史库存：365
历史单价：7.62750（最新价格请咨询）
漏源极电压（Vdss） 40V
连续漏极电流Id@25℃ -
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
品牌：Vishay
历史库存：200
历史单价：1.44788（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 17毫欧@7.2A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 8V
IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
历史库存：100
历史单价：14.06600（最新价格请咨询）
功率(Max) 349W
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
