阈值电压Vgs(th) 1.95V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13.6毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 39A

导通电阻Rds On(Max) 13.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 519pF

功率(Max) 38W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12.9毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 60A

导通电阻Rds On(Max) 12.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 37nC

输入电容(Ciss)(Max) 2420pF

功率(Max) 106W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13.9毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 68A

导通电阻Rds On(Max) 13.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 59nC

输入电容(Ciss)(Max) 3195pF

功率(Max) 170W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 24.7毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 29A

导通电阻Rds On(Max) 24.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 13nC

输入电容(Ciss)(Max) 686pF

功率(Max) 56W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 30毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 150V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 150V

连续漏极电流Id@25℃ 55.5A

导通电阻Rds On(Max) 30mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 98nC

输入电容(Ciss)(Max) 3680pF

功率(Max) 250W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 2.8A

导通电阻Rds On(Max) 105mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 14.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 504pF

功率(Max) 1.6W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2.8A

导通电阻Rds On(Max) 74mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 744pF

功率(Max) 480mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2.8A

导通电阻Rds On(Max) 73mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 291pF

功率(Max) 490mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3.5A

导通电阻Rds On(Max) 55mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11nC

输入电容(Ciss)(Max) 1000pF

功率(Max) 510mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 3.5A

导通电阻Rds On(Max) 49mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 13nC

输入电容(Ciss)(Max) 450pF

功率(Max) 710mW

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB