MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
品牌：Infineon
历史库存：800
历史单价：8.57250（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
漏极电流Idss 42A
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20毫欧@42A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 55V
导通电阻Rds On(Max) 20mΩ
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
历史库存：30
历史单价：10.67850（最新价格请咨询）
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 17.5毫欧@25A，10V
栅极电荷(Qg)(Max) 63nC
工作温度(Tj) -55°C~175°C
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
历史库存：80
历史单价：3.23180（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.35V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.1毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
栅极电荷(Qg)(Max) 59nC
输入电容(Ciss)(Max) 4880pF
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
品牌：ROHM
历史库存：100
历史单价：2.04350（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 17毫欧@7A，10V
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
历史库存：15
历史单价：12.68999（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.7毫欧@195A，10V
漏源极电压（Vdss） 40V
输入电容(Ciss)(Max) 10315pF
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
历史库存：70
历史单价：5.52000（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@24A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
N-Channel 30V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
历史库存：10
历史单价：8.09999（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.35V@150µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.95毫欧@60A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 8420pF
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
品牌：DIODES
历史库存：500
历史单价：1.35674（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5欧姆@500mA，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
连续漏极电流Id@25℃ 150mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 60pF
封装/外壳 SOT-346
P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-7.1A P=2.5W
品牌：Vishay
历史库存：2825
历史单价：0.69192（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss 7.1A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 35毫欧@5.1A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 12V
漏源电压(Vdss) 12V
导通电阻Rds On(Max) 35mΩ
功率(Max) 1.25W
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
历史单价：1.79400（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 540毫欧@600mA，10V
