IGBT 1000V 60A 180W TO264
品牌:ON
历史库存:15
历史单价:22.10000(最新价格请咨询)
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 不可用于新设计
功率(Max) 180W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 通孔(THT)
IGBT Field Stop 600V 120A 378W Through Hole TO-247
历史库存:10
历史单价:18.72200(最新价格请咨询)
零件状态 在售
功率(Max) 378W
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
IGBT 330V 90A 223W TO3P
历史库存:20
历史单价:17.16001(最新价格请咨询)
零件状态 过期
功率(Max) 223W
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
历史单价:13.72800(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 1.4欧姆@4.5A,10V
漏源极电压(Vdss) 900V
栅极电荷(Qg)(Max) 58nC
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
品牌:Vishay
历史库存:50
历史单价:3.70499(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 2.2欧姆@2.2A,10V
漏源极电压(Vdss) 600V
封装/外壳 SOT78,TO-220AB,SC-46
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
历史库存:100
历史单价:1.62040(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA
FET类型 N+N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 700毫欧@600mA,4.5V
漏源极电压(Vdss) 20V
栅极电荷(Qg)(Max) 0.75nC
输入电容(Ciss)(Max) -
功率(Max) 250mW
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
历史库存:30
历史单价:8.43570(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA(最小)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 16.5毫欧@10A,10V
漏源极电压(Vdss) 80V
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
历史单价:13.00190(最新价格请咨询)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 260毫欧@10A,10V
漏源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss)(Max) 3390pF
MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
历史单价:24.15000(最新价格请咨询)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 110毫欧@20A,10V
输入电容(Ciss)(Max) 7500pF
P沟道 VDS=12V VGS=±12V ID=8.2A P=1.7W
品牌:Nexperia
历史单价:1.40595(最新价格请咨询)
FET类型 P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 19毫欧@8.2A,4.5V
漏源极电压(Vdss) 12V
漏源电压(Vdss) 12V
连续漏极电流Id@25℃ 8.2A
导通电阻Rds On(Max) 19mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 100nC
输入电容(Ciss)(Max) 2875pF
功率(Max) 1.7W
封装/外壳 DFN2020MD-6