MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
品牌:ON
历史库存:17
历史单价:14.69000(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 53毫欧@4.4A,10V
漏源极电压(Vdss) 150V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
栅极电荷(Qg)(Max) 63nC
输入电容(Ciss)(Max) 3905pF
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
历史库存:20
历史单价:3.78561(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
漏极电流Idss 4A
FET类型 N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 4.2欧姆@2A,10V
漏源极电压(Vdss) 900V
漏源电压(Vdss) 900V
导通电阻Rds On(Max) 4.2mΩ
功率(Max) 47W
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78,TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
历史库存:100
历史单价:16.89999(最新价格请咨询)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 7.5毫欧@100A,10V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
P沟道 VDS=30V VGS=±8V ID=230mA P=350mW
品牌:Nexperia
历史单价:0.20655(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 4.1欧姆@200mA,4.5V
漏源极电压(Vdss) 30V
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 230mA
导通电阻Rds On(Max) 4.1Ω
栅极电荷(Qg)(Max) 0.72nC
输入电容(Ciss)(Max) 46pF
功率(Max) 420mW
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
历史库存:40
历史单价:26.44200(最新价格请咨询)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 72毫欧@26A,10V
漏源极电压(Vdss) 600V
栅极电荷(Qg)(Max) 215nC
输入电容(Ciss)(Max) 8660pF
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
品牌:Vishay
历史单价:8.49850(最新价格请咨询)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 75毫欧@23A,10V
漏源极电压(Vdss) 250V
P沟道 VDS=−30V VGS=±20V ID=−3A P=1.65W
历史单价:2.11816(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.8V@1mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 250毫欧@1A,10V
连续漏极电流Id@25℃ 3A
导通电阻Rds On(Max) 250mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 25nC
输入电容(Ciss)(Max) 250pF
功率(Max) 5W
工作温度(Tj) 150°C
N沟道 VDS=100V VGS=±10V ID=56A P=167W
历史库存:500
历史单价:5.30191(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 18毫欧@15A,10V
漏源极电压(Vdss) 100V
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流Id@25℃ 56A
导通电阻Rds On(Max) 18mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 39nC
输入电容(Ciss)(Max) 5085pF
功率(Max) 167W
封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
历史单价:4.53681(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
漏极电流Idss 11.3A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 7.5毫欧@17.8A,10V
导通电阻Rds On(Max) 6mΩ
功率(Max) 1.5W
工作温度(Tj) -50°C~150°C
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
历史单价:1.62825(最新价格请咨询)
阈值电压Vgs(th) 2.4V@250µA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 7.5毫欧@10A,10V
栅极电荷(Qg)(Max) 21.5nC