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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
晶体管 DIODES DMN62D1SFB-7B

MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

品牌:DIODES

历史库存:100

历史单价:0.48150(最新价格请咨询

晶体管 Vishay SIZ340DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23

品牌:Vishay

历史库存:100

历史单价:3.24068(最新价格请咨询

晶体管 Vishay IRFL210TRPBF

MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223

品牌:Vishay

历史库存:100

历史单价:1.94440(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Nexperia BSS123,215

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=150mA P=250mW

品牌:Nexperia

历史库存:1100

历史单价:0.48496(最新价格请咨询

晶体管 Vishay SUD50P10-43L-GE3

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

品牌:Vishay

历史库存:20

历史单价:9.43000(最新价格请咨询

晶体管 DIODES DMP2022LSS-13

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

品牌:DIODES

历史库存:100

历史单价:1.71000(最新价格请咨询

晶体管 Vishay SI1416EDH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

品牌:Vishay

历史库存:200

历史单价:1.29305(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi WPM2015-3/TR

Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:145

历史单价:0.26388(最新价格请咨询

MOS场效应管 Nexperia PMGD290XN,115

MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

品牌:Nexperia

历史库存:500

历史单价:0.74144(最新价格请咨询

晶体管 ON FGH60N60SMD

IGBT 600V 120A 600W TO247

品牌:ON

历史库存:10

历史单价:18.72200(最新价格请咨询

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