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通用三极管达林顿三极管带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅功率模块 IGBT

MOS场效应管(单) Infineon BSP125H6327XTSA1

N沟道 VDS=600V VGS=±20V ID=120mA P=1.8W

品牌：Infineon

历史库存：0

历史单价：0

MOS场效应管 ON FQU13N10LTU

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

品牌：ON

历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、Future、等渠道进行代购。FQU13N10LTU价格参考￥2.66352。ONFQU13N10LTU封装/规格：TO_251_3短引线，IPak，TO_251AA,MOSFET N-CH 100V 10A IPAK。你可以下载FQU13N10LTU中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程手机版：FQU13N10LTU<!--

历史单价：3.26887（最新价格请咨询）

MOS场效应管 Infineon IRLR3636TRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

品牌：Infineon

历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、Future、等渠道进行代购。IRLR3636TRPBF价格参考￥0.00000。InfineonIRLR3636TRPBF封装/规格：SOT-428,DPAK,MOSFET N-CH 60V 50A DPAK。你可以下载IRLR3636TRPBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程手机版：IRLR3636TRPBF<!--

历史单价：0

MOS场效应管(单) CHIP HOPE LPN1010C

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=70A P=330W

品牌：CHIP HOPE

历史库存：0

历史单价：0

MOS场效应管(单) AOS AO3442

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=1A P=1.4W

品牌：AOS

历史库存：0

历史单价：0

MOS场效应管(单) Infineon IPB042N10N3GATMA1

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=100A

品牌：Infineon

历史库存：0

历史单价：0

MOSFETs VBsemi FDC2512

Vds=100V Id=3A TSOP-6 类型 N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：95mΩ@10V,3A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：424pF@50V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@50V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)

品牌：VBsemi

历史库存：471

历史单价：1.06820（最新价格请咨询）

晶体管 ST STW12N120K5

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

品牌：ST

历史库存：10

历史单价：29.88850（最新价格请咨询）

晶体管 ST STN1NK60Z

MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

品牌：ST

历史库存：100

历史单价：1.78241（最新价格请咨询）

晶体管 Infineon IRF3710STRLPBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

品牌：Infineon

历史库存：50

历史单价：5.26500（最新价格请咨询）