MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
品牌：Infineon
历史库存：81
历史单价：0.95485（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.35V@50µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.8毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 不可用于新设计
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
功率(Pd)：1.4W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ 10V,4.2A 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.2A,70mΩ@-10V
品牌：LRC
历史库存：3000
历史单价：0.30000（最新价格请咨询）
封装/外壳 SOT-23
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
品牌：ROHM
历史库存：2825
历史单价：0.24840（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8欧姆@10mA，4V
连续漏极电流Id@25℃ 100mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
历史库存：8000
历史单价：0.16530（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@100µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.8欧姆@100mA，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
零件状态 在售
封装/外壳 SOT-723
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
晶体管类型 NPN+NPN
Vce饱和压降(Max) 100mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 300mW
跃迁频率 -
封装/外壳 SOT-363-6，SC-88
Vce饱和压降(Max) 150mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 60
跃迁频率 230MHz
TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
晶体管类型 NPN+PNP
Vce饱和压降(Max) 200mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 120
跃迁频率 100MHz
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
跃迁频率 180MHz
三极管NPN+PNP
品牌：Slkor
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。MBT3946价格参考￥0.09180。SlkorMBT3946封装/规格：SOT-363,三极管NPN+PNP。你可以下载MBT3946中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：MBT3946<!--
历史单价：0.12750（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 1000mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) -
功率(Max) 150mW
跃迁频率 300MHz，250MHz
工作温度(Tj) -55°C~150°C
封装/外壳 SOT-363
