MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
品牌：ST
历史库存：50
历史单价：4.55001（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4.5V@50µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5欧姆@1.25A，10V
漏源极电压（Vdss） 800V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT-323
品牌：ROHM
历史库存：3000
历史单价：0.43395（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@250mA，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
零件状态 不可用于新设计
连续漏极电流Id@25℃ 250mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
品牌：Infineon
历史单价：7.62750（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.2毫欧@115A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
历史库存：500
历史单价：0.74805（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10.4毫欧@10A，10V
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
历史库存：20
历史单价：4.90245（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 42毫欧@22A，10V
漏源极电压（Vdss） 150V
MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
历史库存：58
历史单价：2.79110（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 200毫欧@8.4A，10V
栅极电荷(Qg)(Max) 58nC
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
历史库存：30
历史单价：2.59998（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12毫欧@50A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
输入电容(Ciss)(Max) 3210pF
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
历史单价：11.56555（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.7V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2毫欧@100A，10V
栅极电荷(Qg)(Max) 411nC
输入电容(Ciss)(Max) 13703pF
MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 52毫欧@16A，10V
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
历史单价：5.14150（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 39毫欧@21A，10V
