晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 300mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100

集电极电流Ic(Max) 200mA

集射极击穿电压Vce(Max) 40V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 300MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 120

集电极电流Ic(Max) 2000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 500mW

跃迁频率 120MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-89

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 160

集电极电流Ic(Max) 3000mA

集射极击穿电压Vce(Max) 30V

功率(Max) 500mW

跃迁频率 50MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-89

晶体管类型 PNP

Vce饱和压降(Max) 600mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 144

集电极电流Ic(Max) 500mA

集射极击穿电压Vce(Max) 25V

功率(Max) 625mW

跃迁频率 150MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-92

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200~450

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 65V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

可控硅类型 双向可控硅

断态电压 600V

通态电流It(RMS)(Max) 300mA

栅极触发电压(Max) -

栅极触发电流(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~100°C

安装类型 通孔(THT)

可控硅类型 双向可控硅

断态电压 800V

通态电流It(RMS)(Max) 8A

栅极触发电压(Max) 1.3V

栅极触发电流(Max) 5mA

工作温度(Tj) -40°C~125°C

封装/外壳 TO-252

可控硅类型 双向可控硅

断态电压 600V

通态电流It(RMS)(Max) 2A

栅极触发电压(Max) 1.3V

栅极触发电流(Max) 10mA

工作温度(Tj) -40°C~125°C

安装类型 通孔(THT)

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 DIP-6

断态电压 600V

通态电流It(RMS)(Max) 70mA

工作温度(Tj) -40°C~100°C

安装类型 表面贴装(SMT)