阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 39毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 39A

导通电阻Rds On(Max) 39mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 48nC

输入电容(Ciss)(Max) 3072pF

功率(Max) 158W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 67A

导通电阻Rds On(Max) 14mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 35nC

输入电容(Ciss)(Max) 4034pF

功率(Max) 157W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 66A

导通电阻Rds On(Max) 14mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 60nC

输入电容(Ciss)(Max) 6813pF

功率(Max) 182W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14.4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 14.4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 8600pF

功率(Max) 230W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 32毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 34A

导通电阻Rds On(Max) 32mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 1173pF

功率(Max) 85W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 2.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 96nC

输入电容(Ciss)(Max) 15600pF

功率(Max) 324W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 2mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 137nC

输入电容(Ciss)(Max) 9997pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.2毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 5.2mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 47.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 3501pF

功率(Max) 130W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 49nC

输入电容(Ciss)(Max) 2754pF

功率(Max) 117W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 170nC

输入电容(Ciss)(Max) 9900pF

功率(Max) 338W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46