阈值电压Vgs(th)
900mV@250µA
FET类型
N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)
18毫欧@3A,4.5V
漏源极电压(Vdss)
12V
是否无铅
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态
在售
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流Id@25℃
9.6A
导通电阻Rds On(Max)
18mΩ
栅极电荷(Qg)(Max)
24nC
输入电容(Ciss)(Max)
920pF
功率(Max)
556mW
工作温度(Tj)
-55°C~150°C
安装类型
表面贴装(SMT)
封装/外壳
WLCSP-6 ,WLCSP6-3-2