阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 41毫欧@5.3A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 6.5A

功率(Max) 3.7W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT96-1

阈值电压Vgs(th) 1.6V@250µA

FET类型 N+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 400毫欧@590mA，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 650mA

导通电阻Rds On(Max) 400mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 55pF

功率(Max) 310mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 35毫欧@6.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 25毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 34A

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 16.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 1043pF

功率(Max) 64W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 45.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 4021pF

功率(Max) 195W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 28毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 47A

导通电阻Rds On(Max) 28mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 33nC

输入电容(Ciss)(Max) 3805pF

功率(Max) 167W

工作温度(Tj) -55°C~185°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 48A

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 979pF

功率(Max) 55W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK33-8

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 63A

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 31nC

输入电容(Ciss)(Max) 2317pF

功率(Max) 107W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 7.0mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 32nC

输入电容(Ciss)(Max) 3619pF

功率(Max) 167W

工作温度(Tj) -55°C~185°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 98毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 12.3A

导通电阻Rds On(Max) 98mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 498pF

功率(Max) 37W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)