阈值电压Vgs(th) 2.2V@250µA

漏极电流Idss 3.3A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@3.2A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.7nC

功率(Max) 1.1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 300mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@50mA，5V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 300mA

导通电阻Rds On(Max) 3Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 305mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@50mA，5V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 0.305A

导通电阻Rds On(Max) 3Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 250mW

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 6A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 68毫欧@12A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 8.5A

导通电阻Rds On(Max) 68mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 502pF

功率(Max) 2.12W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO252-3L

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

漏极电流Idss 6.6A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 29毫欧@4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 12V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 12V

连续漏极电流Id@25℃ 6.6A

导通电阻Rds On(Max) 29mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 26.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 1357.4pF

功率(Max) 613mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 X1-DFN1616-6

Vce饱和压降(Max) 500mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOD-323

集电极电流Ic(Max) 50mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 150mW

跃迁频率 250MHz

封装/外壳 SOT-23

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 250MHz

晶体管类型 PNP

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 246mW

跃迁频率 -

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)